Samsung UFS 4.0: un nuevo estándar para memoria de alta velocidad en smartphones

Samsung ha anunciado un nuevo estándar de memoria flash, UFS 4.0, que promete un aumento significativo del rendimiento con respecto a su predecesor, UFS 3.1. En particular, estamos hablando del hecho de que la productividad se duplicará.

Flash 4.0 ofrece hasta 23,2 Gbps por carril, según Samsung, que es el doble de la capacidad de UFS 3.1. La compañía dice que el ancho de banda UFS 4.0 será especialmente útil para los teléfonos inteligentes 5G dada la gran cantidad de datos que deberán descargarse en los dispositivos. La nueva memoria también ayudará a satisfacer las demandas de datos de las aplicaciones de realidad virtual y aumentada.

La eficiencia energética es otro beneficio de la nueva memoria flash, con velocidades de lectura secuencial de 6,0 MB/s por miliamperio (mA). Y es un 46 % más eficiente que lo que ofrece UFS 3.1, lo que significa que los usuarios verán un aumento en la duración de la batería a pesar de un mejor rendimiento.

La compacidad del nuevo módulo de memoria flash también se encuentra entre los logros. Por ejemplo, un módulo UFS 3.1 de 512 GB mide 11,5 x 13 x 1,0 mm. Mientras que el tamaño máximo de un módulo UFS 4.0 será de 11 x 13 x 1 mm para 1 TB de almacenamiento.

Samsung UFS 4.0: un nuevo estándar para memoria de alta velocidad en smartphones

La producción en masa de UFS 4.0 comenzará en el tercer trimestre de 2022, lo que significa que UFS 4.0 podría aparecer en los teléfonos inteligentes a fines de este año o principios de 2023. Quizás la unidad flash UFS 4.0 debute en uno de los buques insignia de Samsung.

Las unidades en los teléfonos inteligentes modernos ya son muy rápidas, pero, por supuesto, serán aún más rápidas. Samsung ha desarrollado la solución de almacenamiento Universal Flash Storage (UFS) 4.0 de mayor rendimiento de la industria, que ha recibido la aprobación de JEDEC. «Al trabajar con fabricantes de teléfonos inteligentes y dispositivos de consumo de todo el mundo, estamos trabajando activamente para construir un ecosistema para UFS 4.0 para impulsar el mercado de soluciones de almacenamiento móvil de alto rendimiento».

Lo más importante, la empresa reveló las principales características. UFS 4.0 ofrece velocidades de hasta 23,2 Gbps por carril, el doble que UFS 3.1. Como resultado, gracias a la memoria V-NAND mejorada de séptima generación y al controlador patentado, la nueva memoria proporciona velocidades de lectura secuencial de hasta 4200 MB/s, y las velocidades de escritura pueden alcanzar los 2800 MB/s. Esto es más rápido que el SSD en el Xbox Series X, aunque está muy por debajo de la unidad de PlayStation 5.

Samsung también habla de mejorar la eficiencia energética. La nueva memoria ofrece 6 MB/s a 1 mA, una mejora del 46 % con respecto a UFS 3.1. Además, la empresa habla de la compacidad de la solución. Las dimensiones del chip serán de 11 x 13 x 1 mm y la capacidad alcanzará 1 TB.

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